High-speed Low-noise InGaAs/InP PIN Photodetectors on Si Plateform Achieved by Oxygen Plasma Activation Bonding

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标题	High-speed Low-noise InGaAs/InP PIN Photodetectors on Si Plateform Achieved by Oxygen Plasma Activation Bonding 氧等离子体活化键合在Si平台上实现高速低噪声InGaAs/InP PIN光电探测器相关领域光电探测器材料科学光电子学光学等离子体噪音（视频）物理计算机科学量子力学图像（数学）人工智能
网址	https://doi.org/10.1364/ol.559090
DOI	10.1364/ol.559090 doi
其它	期刊：Optics Letters 作者：Wenhao Meng; Xiaolong Jiang; Menghui Guo; Zhanren Wang; Yiliang Diao; et al 出版日期：2025-05-01
求助人	ctylinux 在 2025-09-18 10:18:05 发布自湖南，悬赏 10 积分
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