| 标题 |
 Computer modelling of Bi12SiO20 and Bi4Si3O12: Intrinsic defects and rare earth ion incorporation 相关领域
稀土
电介质
兴奋剂
晶格能
离子
格子（音乐）
材料科学
原子间势
化学
凝聚态物理
化学物理
晶体结构
矿物学
计算化学
结晶学
分子动力学
物理
光电子学
声学
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Solid State Chemistry 作者：Marcos V. dos S. Rezende; C. W. A. Paschoal; Mário E.G. Valério; Robert A. Jackson 出版日期：2020-08-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Criminology34
smottom
HOAN
Jared
熬夜波比
子车茗
Twonej
asdfzxcv
zgrmws
香蕉诗蕊
彭于彦祖
热心的灵凡
yznfly
猪猪侠
Tanya47
寻道图强
在这无人的城堡肆无忌惮的奔跑
犹豫的行恶
芳菲依旧
wanci
竹筏过海
spc68
liao
皖公网安备34019202002308
