| 标题 |
Effects of doping atoms (X= Dy, Sc, La, Ce) on the generalized stacking-fault of Al–Mg–Si alloys 掺杂原子(X=Dy,Sc,La,Ce)对Al-Mg-Si合金广义层错的影响
相关领域
材料科学
堆积
合金
层错能
兴奋剂
极限抗拉强度
叠加断层
延伸率
高分辨率透射电子显微镜
格子(音乐)
凝聚态物理
基质(化学分析)
晶格常数
杂质
冶金
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Materials Research and Technology 作者:Z. Zhang; Z P Ren; C.C. Hu; Li Dq; J. He 出版日期:2025-09-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|