Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy

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标题	Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy
网址	https://doi.org/10.1063/1.4945267
DOI	10.1063/1.4945267 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Masataka Higashiwaki; Keita Konishi; Kohei Sasaki; Ken Goto; Kazushiro Nomura; et al 出版日期：2016-03-28
求助人	Chen_Sam 在 2026-10-09 17:38:42 发布自福建，悬赏 10 积分
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