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标题
E-Mode p-GaN/AlGaN/GaN HEMT With Diode-Engineered Gate Configuration for Extended Gate Voltage Swing
网址
DOI
10.1109/LED.2026.3657806 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Jun-Hyeok Yim; Myeongsu Chae; Hyungtak Kim; Ho-Young Cha
出版日期:2026
求助人
Karl 在 2026-03-07 22:44:37 发布自中国台湾,悬赏 10 积分
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