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E-Mode p-GaN/AlGaN/GaN HEMT With Diode-Engineered Gate Configuration for Extended Gate Voltage Swing |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Jun-Hyeok Yim; Myeongsu Chae; Hyungtak Kim; Ho-Young Cha 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)