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标题
New reliability model for power SiC MOSFET technologies under static and dynamic gate stress
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DOI
10.1016/j.microrel.2023.115190 doi
其它 期刊:Microelectronics Reliability
作者:M. Zerarka; Valeria Rustichelli; O. Perrotin; Jean-Michel Reynès; David Trémouilles; et al
出版日期:2023-10-01
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Rex 在 2026-08-20 16:27:30 发布自中国台湾,悬赏 10 积分
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