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New reliability model for power SiC MOSFET technologies under static and dynamic gate stress |
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:M. Zerarka; Valeria Rustichelli; O. Perrotin; Jean-Michel Reynès; David Trémouilles; et al 出版日期:2023-10-01 |
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(2025-6-4)