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 Performance and Stability Improvements in β-Ga 2 O 3 MOSFET With Thin HfAlO Gate Dielectric by O 2 Plasma Treatment O2等离子体处理对薄HfAlO栅介质β-Ga2O3 MOSFET性能和稳定性的改善
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Chengyi Tian; Ying Li; Chuanlun Zhang; Shubo Wei; Chengchao Li; et al 出版日期：2025-01-01 |
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