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[高分] Relation of Breakdown Voltage and Channel Doping Concentration of Sub-10 nm Double Gate MOSFET
相关领域
MOSFET 兴奋剂 材料科学 光电子学 频道(广播) 阈值电压 击穿电压 电压 电气工程 计算机科学 晶体管 电信 工程类
网址
DOI
10.6109/jkiice.2017.21.6.1069 doi
其它 期刊:The Journal of the Korean Institute of Information and Communication Engineering
作者:Hakkee Jung
出版日期:2017-01-01
求助人
ywwsnowboy 在 2025-10-17 14:41:52 发布自福建,悬赏 150 积分
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