Carrier removal rates in 4H–SiC power diodes – A predictive analytical model

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标题	Carrier removal rates in 4H–SiC power diodes – A predictive analytical model 4H-SiC功率二极管中载流子去除率的预测分析模型相关领域材料科学二极管碳化硅光电子学通量辐射硬化辐射损伤辐射核工程辐照光学核物理学物理工程类冶金
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107771
DOI	10.1016/j.mssp.2023.107771 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Amna Siddiqui; Anders Hallén; Arshad Hussain; Muhammad Usman 出版日期：2023-08-10
求助人	yuhuan 在 2025-08-04 09:05:21 发布，悬赏 10 积分
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