Carrier removal rates in 4H–SiC power diodes – A predictive analytical model

材料科学 二极管 碳化硅 光电子学 通量 辐射硬化 辐射损伤 辐射 核工程 辐照 光学 核物理学 物理 工程类 冶金
作者
Amna Siddiqui,Anders Hallén,Arshad Hussain,Muhammad Usman
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:167: 107771-107771 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107771
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