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Tightly Stacked 3D Diamond-Shaped Ge Nanowire Gate-All-Around FETs With Superior nFET and pFET Performance |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yi-Wen Lin; Hao‐Hsiang Chang; Y.W. Huang; Chong-Jhe Sun; Siao-Cheng Yan; et al 出版日期:2021-11-04 |
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(2025-6-4)