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 Anisotropic stress observation of 4H‐SiC trench metal‐oxide semiconductor field‐effect transistor test structures by scanning near‐field optical Raman microscope 相关领域
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期刊：Journal of Raman Spectroscopy 作者：Masanobu Yoshikawa; Masataka Murakami; Tomoyuki Ushida; Junichiro Samejima; Kana Mitsuzawa; et al 出版日期：2024-05-25 |
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