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 Resilience of Fluorinated Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor Against Hydrogen-Induced Degradation 氟化铟镓锌氧化物薄膜晶体管对氢致退化的弹性
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
光电子学
氢
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Sisi Wang; Runxiao Shi; Jiapeng Li; Lei Lü; Zhihe Xia; et al 出版日期：2020-03-27 |
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