| 标题 |
 Resilience of Fluorinated Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor Against Hydrogen-Induced Degradation 氟化铟镓锌氧化物薄膜晶体管对氢致退化的弹性
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
光电子学
氢
无定形固体
镓
降级（电信）
非晶硅
铟
多晶硅
硅
锌
二次离子质谱法
石墨烯
电子工程
纳米技术
离子
冶金
化学
晶体硅
图层（电子）
有机化学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Sisi Wang; Runxiao Shi; Jiapeng Li; Lei Lü; Zhihe Xia; et al 出版日期：2020-03-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
嘻嘻哈哈
Criminology34
quhayley
GingerF
Meyako
Zx_1993
吴彦祖
xxfsx
avalanche
hucchongzi
小青椒
风中冰香
Maestro_S
yznfly
殷勤的紫槐
彭于彦祖
北北北
Mic
风吹麦田
YifanWang
ZOE
Liu
皖公网安备34019202002308
