Effects of $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Dielectric Cap and Nitridation on Device Performance, Scalability, and Reliability for Advanced High- $\kappa$/Metal Gate pMOSFET Applications

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标题	Effects of $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Dielectric Cap and Nitridation on Device Performance, Scalability, and Reliability for Advanced High- $\kappa$/Metal Gate pMOSFET Applications
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/16/4317723/04317724.pdf?...
DOI	10.1109/ted.2007.904478 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Vincent S. Chang; Lars-Ake Ragnarsson; Hong Yu Yu; Marc Aoulaiche; Thierry Conard; et al 出版日期：2007-09-25
求助人	榴莲麦旋风在 2026-09-09 10:36:02 发布自北京，悬赏 10 积分
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