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Simulation Study of Single-Event Effects for the 4H-SiC VDMOSFET With Ultralow On-Resistance 超低导通电阻4H-SiC VDMOSFET单事件效应的模拟研究
相关领域
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MOSFET
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Jian-cheng Zhou; Ying Wang; Xingji Li; Jianqun Yang; Meng-Tian Bao; et al 出版日期:2022-05-02 |
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