| 标题 |
Development of MBE II–VI Epilayers on GaAs(211)B Gaas(211)B上MBE II-VI扩展膜的研制
相关领域
分子束外延
光电子学
碲化镉光电
外延
位错
反射高能电子衍射
材料科学
衍射
基质(水族馆)
微晶
红外线的
光学
图层(电子)
纳米技术
物理
复合材料
冶金
地质学
海洋学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Electronic Materials 作者:R. N. Jacobs; C. Nozaki; L. A. Almeida; M. Jaime-Vasquez; C. M. Lennon; et al 出版日期:2012-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)