Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology

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标题	Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology
网址	https://doi.org/10.37188/cjl.20200379
DOI	10.37188/cjl.20200379 doi
其它	期刊：Chinese Journal of Luminescence 作者：Xu WANG; Hai-zhu WANG; Bin ZHANG; Qu-hui WANG; Jie FAN; et al 出版日期：2021
求助人	致幻在 2026-03-18 16:09:00 发布自吉林，悬赏 10 积分
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