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 High-threshold-voltage and low-leakage-current of normally-off H-diamond FET with self-aligned Zr/ZrO2 gate 自对准Zr/ZrO2栅极常闭H-金刚石场效应管的高阈值电压和低漏电流
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期刊：Diamond and Related Materials 作者：Wang Fei; Guoqi Chen; Wei Wang; M.H. Zhang; Shi He; et al 出版日期：2023-02-10 |
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