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 Diffusion barrier properties of TaN films prepared by plasma enhanced atomic layer deposition from PDMAT with N2 or NH3 plasma 相关领域
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Qi Xie; Jan Musschoot; Christophe Detavernier; Davy Deduytsche; R.L. Van Meirhaeghe; et al 出版日期：2008-06-04 |
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