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标题
Realization of High-Voltage Depletion-Mode HEMTs With Tunable Threshold Voltage on a Standard Enhancement-Mode GaN Platform
在标准增强型GaN平台上实现阈值电压可调的高压耗尽型HEMT
相关领域
实现（概率） 模式（计算机接口） 光电子学 材料科学 阈值电压 电压 宽禁带半导体 氮化镓 电气工程 电子工程 计算机科学 晶体管 工程类 纳米技术 操作系统 统计 图层（电子） 数学
网址
https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117473
DOI
10.23919/ispsd62843.2025.11117473 doi
其它 期刊：
作者：Fengping Lin; Xiaoyu Liu; Zhiwen Dong; Junsong Jiang; Suxia Guo; et al
出版日期：2025-06-01
求助人
wzf 在 2025-12-12 15:13:03 发布自安徽，悬赏 10 积分
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  • 10小时前

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