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标题
A Comprehensive Investigation on Temperature‐Dependent Small‐Signal Characterization and Modeling of GaN HEMT on Si Substrate
硅衬底上GaN HEMT温度相关小信号表征与建模的综合研究
相关领域
高电子迁移率晶体管 基质（水族馆） 表征（材料科学） 光电子学 材料科学 信号（编程语言） 外延 电子工程 计算机科学 纳米技术 电气工程 图层（电子） 工程类 晶体管 生物 电压 程序设计语言 生态学
网址
https://doi.org/10.1002/adts.202401555
AI链接 wiley.comdoi.org
DOI
10.1002/adts.202401555 doi
其它 期刊：Advanced Theory and Simulations
作者：Anwar Jarndal
出版日期：2025-03-04
求助人
涉沧浪 在 2025-12-04 13:43:07 发布自吉林，悬赏 10 积分
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