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标题
Epitaxial κ-Ga2O3/GaN heterostructure for high electron-mobility transistors
高电子迁移率晶体管的外延κ-Ga2O3/GaN异质结构
相关领域
材料科学 光电子学 外延 晶体管 异质结 电介质 高电子迁移率晶体管 栅极电介质 无定形固体 击穿电压 电压 电气工程 纳米技术 图层（电子） 结晶学 工程类 化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2023.101002
DOI
10.1016/j.mtphys.2023.101002 doi
其它 期刊：Materials Today Physics
作者：Ha Young Kang; Min Jae Yeom; Jeong Yong Yang; Yoonho Choi; Jaeyong Lee; et al
出版日期：2023-01-31
求助人
唠叨的谷秋 在 2025-11-19 10:07:40 发布自美国，悬赏 10 积分
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