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 New characterization method of ion current-density profile based on damage distribution of Ga+ focused-ion beam implantation in GaAs 基于Ca+聚焦离子束注入在Gaas中损伤分布的离子电流-密度分布新方法
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena 作者：Gérard Assayag; Christophe Vieu; J. Giérak; P. Sudraud; A. Corbin 出版日期：1993-11-01 |
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