Microscopic Understanding of V-Shaped Pits Induced Quantum Barriers and Localized-State Luminescence in High-Indium-Content InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well LEDs

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标题	Microscopic Understanding of V-Shaped Pits Induced Quantum Barriers and Localized-State Luminescence in High-Indium-Content InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well LEDs
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.6c01780
DOI	10.1021/acsphotonics.6c01780 doi
其它	期刊：ACS Photonics 作者：Xinye Fan; Wanggui Ye; Debao Zhang; Xuguang Cao; Sicheng Liu; et al 出版日期：2026-10-12
求助人	jacob258 在 2026-11-02 15:11:34 发布自江苏，悬赏 10 积分
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