In operando investigation of GaN PIN device characteristics under electron irradiation energies comparable to Pm-147 source for betavoltaic application

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标题	In operando investigation of GaN PIN device characteristics under electron irradiation energies comparable to Pm-147 source for betavoltaic application
网址	https://doi.org/10.1063/5.0015517
DOI	10.1063/5.0015517 doi
其它	期刊：AIP Advances 作者：Kasey Hogan; Miguel Rodriguez; Emma Rocco; Vincent Meyers; Benjamin McEwen; F. Shadi Shahedipour-Sandvik 出版日期：2020
求助人	计蒙在 2026-06-04 12:22:53 发布自江苏，悬赏 10 积分
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