Energy-band alignment of (HfO 2 ) x (Al 2 O 3 ) 1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga 2 O 3 (-201)

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标题	Energy-band alignment of (HfO 2 ) x (Al 2 O 3 ) 1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga 2 O 3 (-201)
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.10.075
DOI	10.1016/j.apsusc.2017.10.075 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Lei Yuan; Hongpeng Zhang; Renxu Jia; Lixin Guo; Yimen Zhang; et al 出版日期：2018-03-01
求助人	Mercury 在 2026-07-03 15:42:00 发布自广东，悬赏 10 积分
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