GaN-Based Laser Diode with a Trapezoidal EBL and an Unintentionally Doped Layer Reaching 7.8 GHz Modulation Bandwidth

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标题	GaN-Based Laser Diode with a Trapezoidal EBL and an Unintentionally Doped Layer Reaching 7.8 GHz Modulation Bandwidth
网址	https://doi.org/10.1021/acsphotonics.4c02606
DOI	10.1021/acsphotonics.4c02606 doi
其它	期刊：ACS Photonics 作者：Haolin Jia; Junhui Hu; Zhongze Gu; Zhen Yang; D. Y. Fan; et al 出版日期：2025-04-01
求助人	lc 在 2026-07-23 16:07:36 发布自广西，悬赏 10 积分
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