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 Relationship of etch reaction and reactive species flux in C4F8/Ar/O2 plasma for SiO2 selective etching over Si and Si3N4 C4F8/Ar/O2等离子体中SiO2选择性蚀刻Si和Si3N4的蚀刻反应与活性物质通量的关系
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Miyako Matsui; Tetsuya Tatsumi; Makoto Sekine 出版日期：2001-09-01 |
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