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  Bismuth surfactant-enhanced III-As epitaxy on GaAs(111)A 铋表面活性剂增强III-As在GaAs（111）a上的外延
相关领域
外延
铋
材料科学
分子束外延
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化学
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沉积物
复合材料
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ahmed M. Hassanen; Jesús Herránz; Lutz Geelhaar; Ryan B. Lewis 出版日期：2023-07-21 |
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