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 Low-Voltage Gallium Oxide Memristor with Enhanced Cyclic Endurance, Stability, and Memory Window 具有增强的循环耐久性、稳定性和存储窗口的低压氧化镓忆阻器
相关领域
记忆电阻器
窗口（计算）
材料科学
镓
氧化物
氧化镓
光电子学
电压
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电气工程
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工程类
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Raufur Rahman Khan; Oh‐Hyung Kwon; Avishek Das; Jacob S Eisbrenner; Cheng Wang; et al 出版日期：2025-04-03 |
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