| 标题 |
 On the suitability of hBN as an insulator for 2D material-based ultrascaled CMOS devices 相关领域
材料科学
纳米电子学
CMOS芯片
绝缘体（电）
晶体管
半导体
MOSFET
纳米技术
光电子学
电子线路
绝缘体上的硅
工程物理
电压
电气工程
硅
物理
工程类
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| DOI |
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10.48550/arxiv.2008.04144
Doi
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| 其它 |
期刊：Cornell University - arXiv 作者：Theresia Knobloch; Yu. Yu. Illarionov; Fabian Ducry; Christian Schleich; Stefan Wachter; et al 出版日期：2020-08-10 |
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