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标题
Fully Vertical GaN-on-SiC p-i-n Diodes With BFOM of 2.89 GW/cm2
BFOM为2.89 GW/cm2的全垂直GaN-on-SiC p-i-n二极管
相关领域
二极管 物理 宽禁带半导体 光电子学 材料科学 原子物理学
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/6423298/10496446.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.org scopus.comdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2024.3386857 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Jialun Li; Renqiang Zhu; Ka Ming Wong; Kei May Lau
出版日期：2024-01-01
求助人
DaisyChan 在 2025-12-05 09:30:34 发布自贵州，悬赏 10 积分
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