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 Fabrication of Low On‐Resistance and Normally Off AlGaN/GaN Metal Oxide Semiconductor Heterojunction Field‐Effect Transistors with AlGaN Back Barrier by the Selective Area Regrowth Technique 选择区域再生技术制备AlGaN背势垒低导通常关AlGaN/GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
阻挡层
图层（电子）
晶体管
化学气相沉积
金属有机气相外延
宽禁带半导体
电子迁移率
纳米技术
外延
电气工程
电压
工程类
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Jumpei Tajima; Toshiki Hikosaka; Shinya Nunoue 出版日期：2023-04-25 |
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