Categorization of PBTI Mechanisms on 4H-SiC MOSFETs by the Stress Gate Voltage and Channel Plane Orientation

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标题	Categorization of PBTI Mechanisms on 4H-SiC MOSFETs by the Stress Gate Voltage and Channel Plane Orientation
网址	https://doi.org/10.1109/TDMR.2023.3234979
DOI	10.1109/TDMR.2023.3234979 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Tomokatsu Watanabe; Yutaka Fukui; Shiro Hino; Shingo Tomohisa; Naruhisa Miura; Kazuyasu Nishikawa 出版日期：2023
求助人	Rex 在 2026-06-02 17:02:47 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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