2.57GW/cm2 normally-off composite stepped gate GaN-based HEMT with p-GaN buried layer and field plate

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标题	2.57GW/cm2 normally-off composite stepped gate GaN-based HEMT with p-GaN buried layer and field plate 2.57GW/厘米2常关复合阶梯栅具有p-Gap埋层和场板的Gap基AMPS 相关领域材料科学高电子迁移率晶体管光电子学功勋电压泄漏（经济）复合数电场图层（电子）击穿电压阈值电压电气工程晶体管复合材料工程类物理量子力学经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107152
DOI	10.1016/j.mssp.2022.107152 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Jialin Li; Yian Yin; Fengbo Liao; Mengxiao Lian; Xichen Zhang; et al 出版日期：2022-10-15
求助人	fany 在 2025-09-17 16:39:27 发布自江苏，悬赏 10 积分
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