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[高分]
 Suppression of Degradation in SiC Power Devices by Defect Engineering Using High-energy Ion Implantation 高能离子注入缺陷工程抑制SiC功率器件退化
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期刊：Materia Japan 作者：Shunta Harada; Hitoshi Sakane; Masashi Kato 出版日期：2025-06-30 |
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