Impact of Cell Orientation on 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs with Channeling Implanted Deep P-well

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标题	Impact of Cell Orientation on 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs with Channeling Implanted Deep P-well
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ispsd64561.2026.11553952
DOI	10.1109/ispsd64561.2026.11553952 doi
其它	期刊：2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Dinuth C. Y. B. Yapa Mudiyanselage; Skylar DeBoer; Stephen A. Mancini; Justin Lynch; Seung Yup Jang; et al 出版日期：2026-05-24
求助人	车剑锋在 2026-07-25 16:36:26 发布自北京，悬赏 10 积分
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