| 标题 |
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate 具有p-GaN栅极的亚微米功率GaN HEMT中雪崩工作的证据
相关领域
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
功率(物理)
逻辑门
雪崩击穿
电气工程
击穿电压
纳米技术
物理
电压
工程类
图层(电子)
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Riccardo Fraccaroli; Matteo Dell’Andrea; Manuel Fregolent; Mirco Boito; Carlo De Santi; et al 出版日期:2025-03-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|