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标题
Band structure of InGaN/GaN quantum wells under influence of internal fields and indium surface segregation
InGaN/GaN量子阱内场和铟表面偏析影响下的能带结构
相关领域
铟 材料科学 压电 量子阱 铟镓氮化物 极化（电化学） 宽禁带半导体 蓝移 凝聚态物理 光电子学 电子能带结构 氮化镓 光致发光 光学 化学 纳米技术 物理 复合材料 激光器 物理化学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/lfnm.2010.5624171
DOI
10.1109/lfnm.2010.5624171 doi
其它 期刊：
作者：Mykhailo V. Klymenko; Oleksiy V. Shulika
出版日期：2010-09-01
求助人
zzzz 在 2025-12-04 13:40:49 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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