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An electron paramagnetic resonance study of the electron transport in heavily Si-doped high Al content AlxGa1−xN 重硅掺杂高Al含量AlxGa1-xN中电子输运的电子顺磁共振研究
相关领域
电子顺磁共振
兴奋剂
材料科学
分子束外延
杂质
激光线宽
宽禁带半导体
电阻率和电导率
光电子学
分析化学(期刊)
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期刊:AIP Advances 作者:M. E. Zvanut; Jackson P. Hanle; Subash Paudel; Ryan Page; Chandrashekhar Savant; et al 出版日期:2023-12-01 |
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