| 标题 |
Is SiC a Predominant Technology for Future High Power Electronics?: A Critical Review |
| 网址 | |
| DOI |
10.2174/0115734137268803231120111751
doi
|
| 其它 |
期刊:Current Nanoscience 作者:A.S. Augustine Fletcher; D. Nirmal; J. Ajayan; P. Murugapandiyan 出版日期:2023-12-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)