| 标题 |
 Decoupling Diameter and Pitch in Silicon Nanowire Arrays Made by Metal‐Assisted Chemical Etching 金属辅助化学蚀刻制成的硅纳米线阵列中的去耦合直径和节距
相关领域
材料科学
硅
各向同性腐蚀
蚀刻（微加工）
反应离子刻蚀
纳米技术
纳米球光刻
基质（水族馆）
光电子学
纳米线
制作
表面粗糙度
图层（电子）
复合材料
医学
海洋学
替代医学
病理
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Junghoon Yeom; Daniel Ratchford; Christopher R. Field; Todd Brintlinger; Pehr E. Pehrsson 出版日期：2013-07-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
GingerF
cdercder
Kao
柚子茶
掐钰
zjh33
Nole
Criminology34
Wells
秋风
aajhajkahna
无极微光
DW
Sapphire
dew
Loscipy
YifanWang
Syening
Anonymous
一百分
皖公网安备34019202002308
