标题 |
![]() 具有GaN HEMT的嵌入式功率部分
相关领域
氮化镓
高电子迁移率晶体管
晶体管
材料科学
功率(物理)
逆变器
宽禁带半导体
章节(排版)
功率半导体器件
光电子学
嵌入
电气工程
水准点(测量)
电子工程
计算机科学
工程类
物理
图层(电子)
纳米技术
地理
人工智能
电压
操作系统
量子力学
大地测量学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Tianyu Li; Christian Voigt; Anderas Lindemann; Lars Boettcher; Eugen Erhardt 出版日期:2021-05-24 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|