| 标题 |
Single-event burnout hardening in p-GaN HEMTs: An embedded polarization-modulated composite barrier layer approach |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Microelectronics Journal 作者:Xiaobing Luo; Yanjun Wu; Yang Zuo; Sheng Gao 出版日期:2025-08-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)