Etching-to-Deposition Transition in Sio2/Si3n4 Using Chxfy Ion-Based Plasma Etching: An Atomistic Study with Neural Network Potentials

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标题	专利、报告等 Etching-to-Deposition Transition in Sio2/Si3n4 Using Chxfy Ion-Based Plasma Etching: An Atomistic Study with Neural Network Potentials
网址	https://doi.org/10.2139/ssrn.5374422
DOI	10.2139/ssrn.5374422 doi
其它	期刊：作者：Hyungmin An; Sangmin Oh; Dongheon Lee; Jae-hyeon Ko; Dongyean Oh; et al 出版日期：2025-08-01
求助人	www 在 2026-07-15 10:36:37 发布自福建，悬赏 10 积分
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