Two-regime degradation associated with carrier compensation and structural instability in NiO/ β -Ga2O3 heterojunction diodes under 1864 MeV Ta-ion irradiation

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标题	Two-regime degradation associated with carrier compensation and structural instability in NiO/ β -Ga2O3 heterojunction diodes under 1864 MeV Ta-ion irradiation
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0332137
DOI	10.1063/5.0332137 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xing Li; Silei Zhong; Yahui Feng; Yang Liu; Gabriele Andreetta; et al 出版日期：2026-06-22
求助人	Chen_Sam 在 2026-07-02 15:12:07 发布自广东，悬赏 10 积分
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