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Optimization of deposition uniformity during silicon epitaxy in deep trenches 深沟硅外延过程中沉积均匀性的优化
相关领域
外延
沉积(地质)
硅
光电子学
材料科学
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地质学
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图层(电子)
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:A.S. Segal; E.V. Yakovlev; D. Bazarevskiy; Р.А. Талалаев; H. Ziad; et al 出版日期:2018-11-29 |
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