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 Selective Etching of Thick Si3N4, SiO2 and Si by Using CF4/O2 and C2F6 Gases with or without O2 or Ar Addition 用CF4/O2和C2F6气体选择性蚀刻厚Si3N4、SiO2和Si，添加或不添加O2或Ar
相关领域
蚀刻（微加工）
材料科学
反应离子刻蚀
光电子学
纳米技术
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Hee Kwan Lee; Kwan Soo Chung; Jae Su Yu 出版日期：2009-05-15 |
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