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![]() 缺陷对硅栅全介质窗口间隔多沟道MOSFET开关性能的影响
相关领域
材料科学
MOSFET
光电子学
阈值电压
硅
纳米线
电介质
排水诱导屏障降低
信道长度调制
电压
电气工程
晶体管
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期刊:Silicon 作者:Girija Shankar Sahoo; A. Ushodaya; Guru Prasad Mishra 出版日期:2024-02-29 |
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