Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates

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标题	Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/1.50001...
DOI	10.1063/1.5000134 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Weijing Qi; Jianli Zhang; Chunlan Mo; Xiaolan Wang; Xiaoming Wu; et al 出版日期：2017-08-25
求助人	活泼的绣连在 2026-05-29 01:05:21 发布自福建，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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